9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDD6776A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDD6776A参考价格为0.37000美元。其他FDD6776A封装/规格：MOSFET N-CH 25V 17.7A/30A DPAK。您可以下载FDD6776A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD6760A是MOSFET NCH 25V 27A DPAK，包括卷轴封装，其设计为单位重量为0.009184盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供3.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为27 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Rds漏极-源极电阻为3.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
FDD6770A是MOSFET 25V 50A N沟道PowerTrench，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为24 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在7 ns上升时间内提供，器件具有4 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为3.7W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为27 A，下降时间为5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDD6776，带有FAI制造的电路图。FDD6776在SOT252封装中提供，是FET的一部分-单个。
