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IRFR9110PBF是MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK，包括管封装，它们设计用于0.050717盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为3.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-100V，Rds漏极源极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRFR9110是由IR制造的MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK。IRFR91110有TO-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH100V 3.1A-DPAK、P沟道100V 3.1V（Tc）2.5W（Ta）、25W（Tc）表面安装D-Pak、Trans-MOSFET P-CH 100 V 3.1A 3-Pin（2+Tab）DPAK。
IRFR9110N，带有VISHAY制造的电路图。IRFR9110N采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
