9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP21D2UFA-7B,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP21D2UFA-7B参考价格为0.41000美元。Diodes Incorporated DMP21D2UFA-7B封装/规格:MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN。您可以下载DMP21D2UFA-7B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP2160UFDBQ-7,带引脚细节,包括DMP2160系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)封装,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供封装外壳功能,如6-UDFN暴露焊盘,技术设计用于硅,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该装置也可以用作表面安装型。此外,信道数量为2信道,该设备在U-DFN2020-6供应商设备包中提供,该设备具有双重配置,FET类型为2 P信道(双重),最大功率为1.4W,晶体管类型为2 P-信道,漏极至源极电压Vdss为20V,输入电容Cis-Vds为536pF@10V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为3.8A,最大Id Vgs的Rds为70 mOhm@2.8A,4.5V,Vgs最大Id为900mV@250μA,栅极电荷Qg Vgs为6.5nC@4.5V,Pd功耗为1.4W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为27.54 ns,上升时间为12.09 ns,Vgs栅极-源极电压为12V,Id连续漏极电流为-3.8A,Vds漏极-源极击穿电压为-20V,Vgs第栅极-源阈值电压为-900mV,Rds导通漏极-漏极电阻为68mOhm,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为55.34ns,典型接通延迟时间为11.51ns,Qg栅极电荷为6.5nC,信道模式为增强。
DMP2160UW-7是MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323,包括900mV@250μA Vgs th Max Id,它们设计为在12 V Vgs栅极-源极电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中,用于-20 V,提供单位重量功能,如0.000212盎司,晶体管类型设计为在1个P沟道中工作,以及P沟道晶体管极性,该器件也可以用作Si技术。此外,供应商设备包为SOT-323,该设备为DMP2160系列,该设备具有100 mOhm@1.5A、4.5V的Rds On Max Id Vgs,Rds On Drain Source电阻为100 mOhms,最大功率为350mW,Pd功耗为350 mW,包装为Digi-ReelR替代包装,包装箱为SC-70、SOT-323、,它的工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),通道数为1通道,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围-55°C,最大工作温度范围+150°C,输入电容Cis-Vds为627pF@10V,Id连续漏电流为1.5 A,FET类型为MOSFET P沟道,金属氧化物,FET特性为标准,漏极到源极电压Vdss为20V,电流连续漏极Id 25°C为1.5A(Ta),配置为单沟道,沟道模式为增强型。
DMP2160UW,电路图由DIODES制造。DMP2160UW在SOT23封装中提供,是FET的一部分-单个。
DMP2160UW-7-F,带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMP2160UW-7-F采用SOT323封装,是IC芯片的一部分。