9icnet为您提供由其他公司设计和生产的RFD20N03，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RFD20N03参考价格为0.37000美元。其他RFD20N03封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载RFD20N03英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RFD16N06LESM9A是MOSFET N-CH 60V 16A DPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于RFD16NO6LESM9A_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为90W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1350pF@25V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为16A（Tc），最大Id Vgs的Rds为47mOhm@16A，5V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为62nC@10V，Pd功耗为90W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为60ns，Vgs栅极-源极电压为-8V+10V，Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为47mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型导通延迟时间为11ns，沟道模式为增强型。
RFD16N06LESM，带有FAIRCHILD制造的用户指南。RFD16N06LESM采用TO-2523L（DPAK）封装，是FET的一部分-单个。
RFD16N06SM9A，电路图由FSC制造。RFD16N06SM9A采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
RFD17N05L，带有FSC制造的EDA/CAD模型。RFD17N05L采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
