9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDD8750，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDD8750参考价格为0.37000美元。其他FDD8750封装/规格：MOSFET N-CH 25V 6.5A/2.7A DPAK。您可以下载FDD8750英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD86540是MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有TO-252，（D-Pak）供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为6340pF@30V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为21.5A（Ta），50A（Tc），最大Id Vgs为4.1mOhm@21.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为90nC@10V，Pd功耗为127 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Id连续漏极电流为21.5A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极源极电阻为5mOhm，晶体管极性为N沟道。
FDD886567_F085，带有用户指南，包括2 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供单位重量功能，如0.139332 oz，典型开启延迟时间设计为24 ns，以及32 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为45 ns，漏极-源极电阻Rds为6 mOhms，Qg栅极电荷为63 nC，Pd功耗为227 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为100 A，下降时间为13 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDD886569_F085带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于8 ns，提供Id连续漏电流功能，如90 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用DPAK-3封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为150W，Qg栅极电荷为35nC，Rds漏极源极电阻为11.3mOhm，上升时间为20ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为15ns，单位重量为0.011640oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs栅-源极阈值电压为2V。
