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Si3447CDV-T1-GE3是MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP，包括卷轴封装，它们设计用于Si3447CDV-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为6.3 a，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1V，Rds漏极源极电阻为36mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型开启延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为20nC，沟道模式为增强。
SI3447CDV-T1-E3是MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns，典型的关闭延迟时间设计为35 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在40 ns上升时间内提供，器件具有36 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为2 W，零件别名为SI3447CDV-E3，封装为卷轴，封装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.3 A，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI3447BDV-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP。SI3447BDV-T1-E3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP、P沟道12V 4.5A（Ta）1.1W（Ta）表面安装6-TSOP和Trans MOSFET P-CH12V 4.5A 6-引脚TSOP T/R。
