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MMFT2N25ET3

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  • 贸泽

起订量: 2061

数量 单价 合计
2061+ 1.08643 2239.14253
  • 库存: 4000
  • 单价: ¥1.08644
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,239.14
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 技术 -
  • 场效应管类型 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 供应商设备包装 -
  • 包装/外壳 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -

MMFT2N25ET3 产品详情

MMFT2N25ET3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MMFT2N25ET3 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MMFT2N25ET3价格参考¥1.086435,你可以下载 MMFT2N25ET3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MMFT2N25ET3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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