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IRF710

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 802

数量 单价 合计
802+ 2.67987 2149.25814
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  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,149.26
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至220-3
  • 供应商设备包装 TO-220AB
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • 漏源电压标 (Vdss) 400伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 170 pF @ 25 V
  • 部件状态 过时的
  • 最大功耗 36W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.6欧姆 @ 1.2A, 10V

IRF710 产品详情

IRF710所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF710 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF710价格参考¥2.679873,你可以下载 IRF710中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF710规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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