SSM5H16TU,LF

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 30伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
• 最大功耗 500mW (Ta)
• 制造厂商 东芝 (Toshiba)
• 工作温度 150摄氏度
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4伏
• 场效应管特性 肖特基二极管（隔离）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 1.9A（Ta）
• 导通电阻 Rds(ON) 133毫欧姆@1A，4V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.9 nC@4 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 123 pF@15 V
• 供应商设备包装 UFV
• 包装/外壳 6-SMD (5 Leads), Flat Lead