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CSD16342Q5A是MOSFET N沟道NexFET功率MOSFET,包括CSD16342Q 5A系列,它们设计用于卷盘封装,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供NexFET等商标功能,封装盒设计用于VSON-FET-8以及Si技术,该器件也可以用作1沟道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有3 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,Vgs栅极-源极电压为10 V,Id连续漏极电流为21 a,Vds漏极-源极击穿电压为25 V,漏极-源极电阻Rds为5.5mOhm,晶体管极性为N沟道,Qg栅极电荷为6.5nC。
CSD163CEVM-591是MOSFET/TPS0304的EVAL模块,包括1.2V电压输出,它们设计为在8V~14V电压输入下工作。数据表注释中显示了TPS40304中使用的实用IC部件,提供了开关控制器等类型功能,商品名设计用于NexFET,该设备也可以用作板提供的内容。此外,该系列是NexFET?,该设备采用降压稳压器拓扑结构,该设备具有产品评估板,输出和类型为1,非隔离,主要用途为DC/DC,降压,频率开关为600kHz,电流输出为25A,板类型为全填充。
CSD16401带有TI制造的电路图。CSD16401采用QFN8封装,是FET的一部分-单体。