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IRFS52N15DTRRP

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 230W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 21.22169 21.22169
10+ 19.06331 190.63313
100+ 15.32090 1532.09060
800+ 12.58787 10070.29600
1600+ 11.98844 19181.51680
  • 库存: 15760
  • 单价: ¥19.26611
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥21.22
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 漏源电压标 (Vdss) 150伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 51A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 32毫欧姆 @ 36A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 89 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2770 pF@25 V
  • 最大功耗 3.8W (Ta), 230W (Tc)

IRFS52N15DTRRP 产品详情

特色

  • 用于宽SOA的平面单元结构
  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 硅优化用于低于100kHz的应用切换
  • 行业标准表面安装电源组件
  • 高载流能力封装(高达195 A,取决于管芯尺寸)
  • 能够进行波峰焊接
IRFS52N15DTRRP所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFS52N15DTRRP 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFS52N15DTRRP价格参考¥19.266114,你可以下载 IRFS52N15DTRRP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFS52N15DTRRP规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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