9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD9120PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD9120PBF价格参考1.62000美元。Vishay Siliconix IRFD9120PBF封装/规格：MOSFET P-CH 100V 1A 4DIP。您可以下载IRFD9120PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFD9110PBF是MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP，包括管封装，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于HVMDIP-4，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单双漏极配置，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为27 ns，上升时间为27纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为700 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-100 V，Rds导通漏极-源极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRFD9120是MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于9.6 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如21 ns，晶体管类型设计为在1个P通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为29 ns，该器件的漏极电阻为600 mOhms Rds，该器件具有1.3 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为HVMDIP-4，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为1A，下降时间为29ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
IRFD9113是MOSFET P-CH 60V 600MA 4-DIP，包括单配置，它们设计为在-600 mA Id连续漏电流下工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供通道数功能，如1通道，封装外壳设计为在DIP-4中工作，以及管封装，该器件也可以用作1W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为11nC，器件提供1.2欧姆Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，单位重量为0.022575盎司，Vds漏极源极击穿电压为-60 V，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为-4V。
