起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.01160 | 6.01160 |
| 10+ | 5.28731 | 52.87317 |
| 100+ | 4.05167 | 405.16780 |
| 500+ | 3.20281 | 1601.40500 |
| 1000+ | 2.56224 | 2562.24800 |
| 2000+ | 2.54769 | 5095.38000 |
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单场效应晶体管™ MOSFET是Fairchild Semiconductor的高压MOSFET家族。它在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，并且还提供了优异的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管允许UniFET II™ MOSFET能够承受超过2000V的HBM浪涌应力。
单场效应晶体管™ MOSFET适用于开关功率转换器应用，例如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视功率、ATX（先进技术扩展）和电子镇流器。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDUE1260-H-R45N=P3 | 村田制作所 (Murata) | 电感值: 450 nH 公差: ±30% 额定电流（单位：安培）: 42 A 直流电阻（DCR）: 0.58欧姆 安装类别: 表面安装 | ¥17.60025 |
 | FDUE1040D-H-R45M=P3 | 村田制作所 (Murata) | FIXED IND | ¥5.32498 |
| FDUE0650-H-R60M=P3 | 村田制作所 (Murata) | FIXED IND | ¥5.09357 |
| FDUE0650-H-1R0M=P3 | 村田制作所 (Murata) | FIXED IND | ¥5.09357 |
| FDUE0640-H-KR15M=P3 | 村田制作所 (Murata) | FIXED IND | ¥4.03516 |
| FDUE1245-H-R50M=P3 | 村田制作所 (Murata) | FIXED IND | ¥8.026 |
| FDUE1245-H-1R5M=P3 | 村田制作所 (Murata) | FIXED IND | ¥8.026 |
| FDUE1245-H-R72M=P3 | 村田制作所 (Murata) | FIXED IND | ¥8.026 |
| FDUE1245-H-2R2M=P3 | 村田制作所 (Murata) | FIXED IND | ¥8.026 |
| FDUE1040D-H-1R0M=P3 | 村田制作所 (Murata) | 电感值: 1µH 公差: ±20% 额定电流（单位：安培）: 18A 直流电阻（DCR）: 最大2.515欧姆 安装类别: 表面安装 工作温度: -20摄氏度~100摄氏度 | ¥10.35735 |
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