9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPU50R950CE，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPU50R950CE参考价格为0.16000美元。Infineon Technologies IPU50R950CE封装/规格：N通道功率MOSFET。您可以下载IPU50R950CE英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPU50R3K0CE是MOSFET N-Ch 500V 1.7A IPAK-3，包括IPU50R3系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPU50R4K0CEBKMA1 SP001022960的零件别名，该产品提供了安装类型功能，如通孔、封装盒设计用于PG-TO251以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1个N沟道，该器件为1个N-沟道晶体管类型，该器件具有14 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为49 ns，上升时间为5.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为7.3ns，Qg栅极电荷为4.3nC，沟道模式为增强。
IPU50R3K0CEBKMA1带有用户指南，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.012102盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及CoolMOS商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IPU50R3，该器件提供3欧姆Rds漏极-源极电阻，该器件具有4.3 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为18 W，零件别名为IPU50 R3K0CE SP001022960，包装为管，包装箱为TO-251-3，通道数为1通道，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1.7 A。
IPU50R3K0CEAKMA1带有电路图，包括TO-251-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPU50R4K0CE SP001396836的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
