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SI2306BDS-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3，包括卷轴封装，它们设计用于SI2306BD-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SOT-23-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为750 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为3.16A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-电源电阻为47mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
带有89K制造的用户指南的SI2306BDS。SI2306BDS采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
SI2306BDS-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI2306BDS-T1采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
