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IRLMS6702TRPBF

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta) 供应商设备包装: Micro6(TSOP-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 0.72501 0.72501
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 700mV @ 250A
  • 最大功耗 1.7W(Ta)
  • 供应商设备包装 Micro6(TSOP-6)
  • 包装/外壳 SOT-23-6
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.7伏、4.5伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 200欧姆@1.6A,4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.4A(Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 210 pF@15 V

IRLMS6702TRPBF 产品详情

P沟道功率MOSFET 12V至20V,Infineon

英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的P沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 符合RoHS
  • 低RDS(打开)
  • 行业领先的质量
  • 动态dv/dt额定值
  • 快速切换
  • 完全雪崩等级
  • 175°C工作温度
  • P沟道MOSFET

应用

  • 直流开关
  • 负载开关
IRLMS6702TRPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRLMS6702TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRLMS6702TRPBF价格参考¥0.725014,你可以下载 IRLMS6702TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRLMS6702TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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