9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD9020PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD9020PBF价格参考1.75000美元。Vishay Siliconix IRFD9020PBF封装/规格：MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP。您可以下载IRFD9020PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFD9014PBF是MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP，包括管封装，它们设计为通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于HVMDIP-4，提供Si等技术特性，通道数设计为在1个通道中工作，以及单双漏极配置，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为1.3W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为63 ns，上升时间为63纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为500 mOhms，并且晶体管极性是P沟道，并且典型关断延迟时间是10ns，并且典型接通延迟时间是11ns，并且沟道模式是增强。
IRFD9014是由IOR制造的MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP。IRFD9014可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-DIP、P沟道60V 1.1V（Ta）1.3W（Ta）通孔4-DIP，Hexdip，HVMDIP。
IRFD9020是由IR制造的MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP。IRFD902可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH60V 1.6V 4-DIP，P沟道60V 1.6B（Ta）1.3W（Ta）通孔4-DIP、Hexdip、HVMDIP。
