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BSC0911NDATMA1是MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8，包括OptiMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于BSC09111ND BSC0911NDXT SP000934746的零件别名，该设备提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及8-PowerTDFN封装盒，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件有1个通道数，供应商设备包为PG-TISON-8，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双）不对称，最大功率为1W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为25V，输入电容Ciss Vds为1600pF@12V，FET特性为逻辑电平门，4.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为18A，30A，Rds On Max Id Vgs为3.2mOhm@20A，10V，Vgs th Max Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12nC@4.5V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2.2 ns 4 ns，上升时间为2.8 ns 5.4 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 A，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs栅-源极阈值电压为1.6 V，Rds漏极源极电阻为3.7 mOhms 1.3 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns 25ns，典型接通延迟时间为3.3ns 3.8ns，Qg栅极电荷为3nC 8.8nC，正向跨导Min为77S 130S。
BSC0911ND是MOSFET N-Ch 25V 40A TISON-8，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了BSC0911等系列功能，零件别名设计用于BSC0911NDATMA1 BSC0911NDXT SP000934746以及卷筒包装，该装置也可用作TISON-8包装箱。此外，信道数为1信道，该设备以SMD/SMT安装方式提供。
BSC091N03MS，电路图由FEELING制造。BSC091N03MS采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
