特色
- RDS（开启）=120mΩ （最大值）@VGS=10V，ID=19A
- 低栅极电荷（典型值56nC）
- 低铬（典型值55pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDB38N30U
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 313W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 24.98800 | 24.98800 |
| 10+ | 22.42401 | 224.24018 |
| 100+ | 18.36944 | 1836.94430 |
| 800+ | 15.63785 | 12510.28480 |
| 1600+ | 14.98700 | 23979.21440 |
- 库存: 3100
- 单价: ¥24.98801
-
数量:
- +
- 总计: ¥24.99
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 300伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 38A (Tc)
- 最大功耗 313W (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 120欧姆@19A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 73 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3340 pF @ 25 V
FDB38N30U 产品详情
UniFETTM MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET家族。该MOSFET被定制以降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET Ultra FRFETTM MOSFET具有非常优异的体二极管反向恢复性能。其trr小于50nsec，反向dv/dt抗扰度为20V/nsec，而普通平面MOSFET分别超过200nsec和4.5V/nsec。因此，UniFET Ultra FRFET MOSFET可以在某些需要提高MOSFET体二极管性能的应用中去除额外的组件并提高系统可靠性。该设备系列适用于开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视功率、ATX和电子镇流器。
FDB38N30U 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDBD-25S(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB RCPT PNL MNT | ¥81.12048 |
| FDBD-25P(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥76.19531 |
| FDBD-25PF(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥76.19531 |
| FDBD-25P-CTK1(50) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥339.64855 |
| FDBD-25PF-610A220(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥295.98835 |
| FDBD-25S-562A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥165.71755 |
| FDBD-25S-562A360(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥349.7017 |
| FDBD-25S-562A660(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥213.17303 |
| FDBD-25S-610A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥87.23349 |
| FDBD-25S-610A600(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥285.86278 |
FDB38N30U所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDB38N30U 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDB38N30U价格参考￥24.988005，你可以下载 FDB38N30U中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDB38N30U规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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