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MTB50P03HDLT4G

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 34.04163 34.04163
10+ 30.57228 305.72281
100+ 25.05029 2505.02940
800+ 21.32483 17059.86880
1600+ 20.43729 32699.66560
  • 库存: 1400
  • 单价: ¥29.62346
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥34.04
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V
  • 导通电阻 Rds(ON) 25安、5伏时25欧姆
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 100nC@5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4900 pF @ 25 V
  • 最大功耗 2.5W(Ta)、125W(Tc)
  • 供应商设备包装 DPAK

MTB50P03HDLT4G 产品详情

MTB50P03HDLT4G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MTB50P03HDLT4G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MTB50P03HDLT4G价格参考¥29.623461,你可以下载 MTB50P03HDLT4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MTB50P03HDLT4G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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