DMP1011UCB9-7

Name: DMP1011UCB9-7
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7128181-DMP1011UCB9-7
Price: 6.591039 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta）最大功耗: 890mW (Ta) 供应商设备包装: U-WLB1515-9 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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数量	单价	合计
1+	6.59103	6.59103
10+	5.79432	57.94320
100+	4.44496	444.49680
500+	3.51353	1756.76550
1000+	2.81082	2810.82500
3000+	2.54732	7641.98400
6000+	2.39558	14373.53400

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规格参数

宽（英寸） -
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
场效应管类型 P-通道
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@250A.
最大栅源极电压 (Vgs) -6伏
漏源电流 (Id) @ 温度 10A（Ta）
漏源电压标 (Vdss) 8 V
导通电阻 Rds(ON) 10毫欧姆@2A，4.5V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.5 nC @ 4.5 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1060 pF@4 V
最大功耗 890mW (Ta)
供应商设备包装 U-WLB1515-9
包装/外壳 9-UFBGA, WLBGA

DMP1011UCB9-7 产品详情

这种第三代横向MOSFET（LD-MOS）的设计旨在最大限度地减少导通损耗和超快切换，使其成为高效功率传输的理想选择。它使用芯片级封装（CSP），通过将低热阻抗与最小的RDS（on）每占地面积相结合来提高功率密度。

特色

LD-MOS技术具有最低的优点：RDS（on）=8.2mΩ，可最大限度地减少超快开关的导通损耗Qg=8.1nC
Vgs（th）=-0.8V典型值。对于低开启电位
CSP，占地面积1.5mm×1.5mm
高度=0.60mm（适用于薄型）
ESD=6kV HBM闸门保护

应用

DC-DC转换器
电池管理
负载开关

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DMP1011UCB9-7所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMP1011UCB9-7 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMP1011UCB9-7价格参考￥6.591039，你可以下载 DMP1011UCB9-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMP1011UCB9-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！