RQ7L050ATTCR
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: TSMT8 工作温度: 150摄氏度(TJ)
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 7.96719 | 7.96719 |
10+ | 7.11977 | 71.19771 |
100+ | 5.55240 | 555.24070 |
500+ | 4.58678 | 2293.39200 |
1000+ | 3.62108 | 3621.08800 |
3000+ | 3.37968 | 10139.04600 |
6000+ | 3.29189 | 19751.38800 |
- 库存: 2000
- 单价: ¥7.96719
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.97
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规格参数
- 宽(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-通道
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 最大功耗 1.1W(Ta)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 38 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 TSMT8
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 39毫欧姆 @ 5A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2160 pF @ 30 V
RQ7L050ATTCR所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RQ7L050ATTCR 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RQ7L050ATTCR价格参考¥7.967190,你可以下载 RQ7L050ATTCR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RQ7L050ATTCR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...