一般说明
这些逻辑级N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。
这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些设备是
特别适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路，其中需要快速切换、低在线功率损耗和抗瞬变。
特征
–48A，60V。Rds（开）=0.025W@Vgs=5V。
–驱动器要求低，允许直接从逻辑驱动器进行操作。
Vgs（th）<2.0V。
–高温下规定的关键直流电气参数。
–坚固的内部源极-漏极二极管可以消除对外部齐纳二极管瞬态抑制器的需求。
–175°C最高结温额定值。用于极低Rds（开）的高密度电池设计。
–TO-220和TO-263（D2PAK）封装，适用于通孔和表面安装应用。
一般说明
这些逻辑级N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。
这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻，提供优异的开关性能，并承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些设备是
特别适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路，其中需要快速切换、低在线功率损耗和抗瞬变。
特征
–48A，60V。Rds（开）=0.025W@Vgs=5V。
–驱动器要求低，允许直接从逻辑驱动器进行操作。
Vgs（th）<2.0V。
–高温下规定的关键直流电气参数。
–坚固的内部源极-漏极二极管可以消除对外部齐纳二极管瞬态抑制器的需求。
–175°C最高结温额定值。用于极低Rds（开）的高密度电池设计。
–TO-220和TO-263（D2PAK）封装，适用于通孔和表面安装应用。
特色
- 48A、60V。RDS（开）=0.025Ω@VGS=10V。
- 高温下规定的临界直流电参数。
- 坚固的内部源极-漏极二极管可以消除对外部齐纳二极管瞬态抑制器的需要。
- 175°C最大结温额定值。
- 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计。
- TO-220和TO-263（D2PAK）封装适用于通孔和表面安装应用。
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
