9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPS04N60C3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPS04N60C3参考价格为0.47000美元。Infineon Technologies SPS04N60C3封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载SPS04N60C3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SPS03N60C3是MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000307418 SPS03N6OC3BKMA1 SPS03N63C3XK，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可以用作IPAK-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为3.8 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.2A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为64ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
SPS02N60C3是MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如6 ns，典型的关闭延迟时间设计为68 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有CoolMOS C3系列，上升时间为3 ns，漏极电阻Rds为3欧姆，Pd功耗为25 W，零件别名为SP000307410 SPS02N60C3BKMA1 SPS02N6OC3XK，封装为管，封装外壳为IPAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为1.8 A，下降时间为12 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPS02D3-03B，带有SUNPLUS制造的电路图。SPS02D3-03B采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
