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MCU80N06-TP

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 85W 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 微型商业组件 (Micro)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.59103 6.59103
10+ 5.87399 58.73992
100+ 4.58113 458.11340
500+ 3.78441 1892.20750
1000+ 2.98769 2987.69600
2500+ 2.78851 6971.29250
5000+ 2.71608 13580.44000
  • 库存: 2150
  • 单价: ¥6.59104
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.59
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 供应商设备包装 D-Pak
  • 制造厂商 微型商业组件 (Micro)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4200 pF @ 25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 12毫欧姆@30A,10V
  • 最大功耗 85W

MCU80N06-TP 产品详情

MCU80N06-TP所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MCU80N06-TP 由 微型商业组件 (Micro) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MCU80N06-TP价格参考¥6.591039,你可以下载 MCU80N06-TP中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MCU80N06-TP规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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