IRFW730BTM

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 400伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 3.13W（Ta）、73W（Tc）供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
包装/外壳到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
供应商设备包装 D2PAK
漏源电压标 (Vdss) 400伏
漏源电流 (Id) @ 温度 5.5A (Tc)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 33 nC @ 10 V
制造厂商
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1000 pF @ 25 V
导通电阻 Rds(ON) 1欧姆@2.75A，10V
最大功耗 3.13W（Ta）、73W（Tc）

IRFW730BTM 产品详情

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型号	制造商	描述	价格
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IRFW730BTM所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFW730BTM 由设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFW730BTM价格参考￥4.273311，你可以下载 IRFW730BTM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFW730BTM规格参数、现货库存、封装信息等信息！