9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPU8N05L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPU8N05L价格参考值0.17000美元。Infineon Technologies SPU8N05L封装/规格：N通道功率MOSFET。您可以下载SPU8N05L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SPU77N60C3是MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-251，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000101635 SPR07N60C3BKMA1 SPU7N60C3XK，提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可以用作IPAK-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为3.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.3A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强。
SPU07N60S5是MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如120 ns，典型的关闭延迟时间设计为170 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS S5系列，上升时间为40 ns，漏极电阻Rds为600 mOhms，Pd功耗为83 W，零件别名为SP000012109 SPR07N60S5BKMA1，封装为Tube，封装外壳为IPAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7.3A，下降时间为20ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPU05-10R-4A，带有TDK制造的电路图。SPU05-10R-4A在模块包中提供，是模块的一部分。
SPU05-20R，带有LAMBDA制造的EDA/CAD模型。SPU05-20R在模块包中提供，是模块的一部分。
