9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSC200P03LSG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSC200P03LSG参考价格为0.40000美元。Infineon Technologies BSC200P03LSG封装/规格：P通道功率MOSFET。您可以下载BSC200P03LSG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSC196N10NS G是MOSFET N-Ch 100V 45A TDSON-8 OptiMOS 2，包括OptiMOS 2系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于BSC196N10 NSGATMA1 BSC196N1N NSGTXT SP000379604，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为78 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为8.5A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为19.6mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型接通延迟时间为16ns，沟道模式为增强。
BSC196N10NSGATMA1是MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8，包括4V@42μA Vgs th Max Id，它们设计为与PG-TDSON-8供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于OptiMOS？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如19.6 mOhm@45A，10V，Power Max设计为工作在78W，以及Digi-ReelR替代封装封装，该设备也可以用作8-PowerTDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有2300pF@50V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为34nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，25°C的电流连续漏极Id为8.5A（Ta），45A（Tc）。
BSC19N02KSG，带有INFINEON制造的电路图。BSC19N02KSG采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
具有INFINEON制造的EDA/CAD模型的BSC200P03LS G。BSC200P003LS G在TDSON8封装中提供，是FET的一部分-单个。
