FDFMA2P853T

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta）供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
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规格参数

技术 MOSFET（金属氧化物）
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
场效应管类型 P-通道
漏源电压标 (Vdss) 20伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Ta)
场效应管特性肖特基二极管（隔离）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.3V@250A.
部件状态过时的
制造厂商
包装/外壳 6-VDFN Exposed Pad
最大功耗 1.4W（Ta）
导通电阻 Rds(ON) 120毫欧姆@3A，4.5V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 435 pF @ 10 V
供应商设备包装 6-MicroFET (2x2)

FDFMA2P853T 产品详情

该设备专门设计为蜂窝手机和其他超便携应用中电池充电开关的单包解决方案。它的特点是具有低导通电阻的MOSFET和独立连接的低正向电压肖特基二极管，以实现最小的传导损耗。MicroFET 2x2封装为其物理尺寸提供了优异的热性能，非常适合线性模式应用。

特色

-3.0安培，-20伏。
RDS（开启）=120 mΩ@VGS=-4.5 V
RDS（开启）=160 mΩ@VGS=-2.5 V
RDS（ON）=240 mΩ@VGS=-1.8 VSchottky：VF<0.46 V@500 mA
薄型-最大0.8 mm-在新包装中MicroFET 2x2 mm
符合RoHS

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。

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FDFD1.25-250		连接器类型：快接端子线规 - AWG：16~22 线规 - mm?：0.5~1.5 全绝缘端子母	¥0.63581
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FDFMA2P853T所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDFMA2P853T 由设计生产，可通过久芯网进行购买。FDFMA2P853T价格参考￥1.810725，你可以下载 FDFMA2P853T中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDFMA2P853T规格参数、现货库存、封装信息等信息！