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SI3456DDV-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SI3456DDV-GE3的零件别名，该SI3456DDV-GE3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.7W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为325pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6.3A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为40 mOhm@5A、10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为9nC@10V，Pd功耗为1.7 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为13纳秒，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为40毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16纳秒，典型开启延迟时间为12ns，信道模式为增强。
SI3456DDV-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为16 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在13 ns上升时间内提供，器件具有40 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.7 W，零件别名为SI3456DDV-E3，封装为卷轴，封装外壳为TSOP-6，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为5A，下降时间为13ns，配置为单一，通道模式为增强。
Si3456DDV，带有Vishay制造的电路图。Si3456DDV在TSOP-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
