9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF530STRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF530STRLPBF参考价格$1.81000。Vishay Siliconix IRF530STRLPBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK。您可以下载IRF530STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF530SPBF是MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK，包括管封装，它们设计用于0.068654盎司的单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-263-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供3.7 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为14 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为160mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRF530S是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK。IRF530S有TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 14B D2PAK、N沟道100V 14C（Ta）3.7W（Ta）、88W（Tc）表面安装D2PAK。
IRF530STRL是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK。IRF530STRL可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH100V 14V D2PAK、N沟道100V 14B（Tc）3.7W（Ta）、88W（Tc。
