9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP114N03LG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP114N03LG价格参考值0.40000美元。Infineon Technologies IPP114N03LG封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载IPP114N03LG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPP111N15N3 G是MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP111N5N3GXK IPP111N25N3GXKSA1 SP000677860，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为214 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为83A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds漏极源极导通电阻为10.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32nS，Qg栅极电荷为41nC。
IPP110N20NAXK是MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的关断延迟时间特性，如41纳秒，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作OptiMOS商品名。此外，该技术为Si，该器件为IPP110N20系列，该器件具有26 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为10.7 mOhms，Qg栅极电荷为65 nC，Pd功耗为300 W，部件别名为IPP1100N20NAAKSA1 SP000877672，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为88 A，下降时间为11 ns，配置为单一。
IPP111N15N3GXKSA1是MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3，包括1个通道数的通道，它们设计为与to-220-3封装盒一起工作。数据表中显示了用于管的封装，该管提供了部件别名功能，如G IPP115N15N3 IPP115N3GXK SP000677860，该设备也可以用作OptiMOS商品名。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
IPP114N03L G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3。IPP114N03L G采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 30V 30A TO-220-3，N沟道30V 30V（Tc）38W（Tc）通孔PG-TO-220-3。
