9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP200N15N3GXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP200N15N3GXKSA1参考价格为3.48000美元。Infineon Technologies IPP200N15N3GXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3。您可以下载IPP200N15N3GXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP200N15N3 G是MOSFET N-Ch 150V 50A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP200N 15N3GXK IPP200N1 5N3GXKSA1 SP000680884，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为150 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Rds导通漏极-漏极电阻为20mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
IPP200N15N带有INF制造的用户指南。IPP200N25N提供TO-220封装，是FET的一部分-单体。
IPP200N15N3G，带有INFINEON制造的电路图。IPP200N15N3G提供TO-220封装，是FET的一部分-单个。
