9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSC0908NS，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSC0908NS参考价格为0.31000美元。Infineon Technologies BSC0908NS封装/规格：N通道功率MOSFET。您可以下载BSC0908NS英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSC0904NSI是MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了零件别名，用于提供SMD/SMT等安装方式功能的BSC0904NS ATMA1 BSC0904S XT SP000854384，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为37 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为4.4 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为78A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极导通电阻为3.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16nS，Qg栅极电荷为17nC。
BSC0906NS是MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的关断延迟时间如数据表注释所示，用于17 nS，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道中工作，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为OptiMOS，器件的上升时间为3.8 ns，器件的漏极-源极电阻为4.5 mOhms，Qg栅极电荷为13 nC，Pd功耗为30 W，部件别名为BSC0906NSATMA1 BSC0906NS XT SP000893360，封装为卷筒，封装盒为TDSON-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为63 A，下降时间为3 ns，配置为单四漏三源。
BSC0904NSIPG，带有INFIN制造的电路图。BSC0904NSIPG采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
