9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP230N06L3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP230N06L3G参考价格为0.40000美元。Infineon Technologies IPP230N06L3G封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载IPP230N06L3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IPP220N25NFD带有引脚细节，包括XPP220N25系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP220N2 5NFDAKSA1 SP001108126，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为61A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为19mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为65nC，正向跨导最小值为120S，并且信道模式是增强。
IPP220N25NFDAKSA1，带用户指南，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于250 V，提供单位重量功能，如0.211644 oz，典型开启延迟时间设计为14 ns，以及26 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，上升时间为10ns，漏极-源极电阻Rds为19mOhms，Qg栅极电荷为65nC，Pd功耗为300W，部件别名为IPP220N25NFD SP001108126，封装为Tube，封装外壳为TO-220-3，通道数量为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为61 A，正向跨导最小值为60 S，下降时间为8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP22N03S4L-15是MOSFET N-Ch 30V 22A TO220-3 OptiMOS-T2，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了2 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如22A，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，部件别名为IPP22NO3S4L15KSA1 IPP22No3S4L15KXK SP000275290，Pd功耗为31 W，漏极电阻Rds为14.9 mOhms，上升时间为2 ns，系列为OptiMOS-T2，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为3ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为16V。
