MOSFET晶体管DPAK（OS）PD
特色
- 装配底座：4.0 V
- 装配底座：560 mΩ
- 装配底座：380 pF
- 装配底座：14.5 nC
应用
开关稳压器
TK560P60Y,RQ
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 东芝 (Toshiba)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 10.06763 | 10.06763 |
| 10+ | 9.00292 | 90.02925 |
| 100+ | 7.01837 | 701.83700 |
| 500+ | 5.79779 | 2898.89850 |
| 1000+ | 4.57715 | 4577.15100 |
| 2000+ | 4.27200 | 8544.01400 |
- 库存: 7087
- 单价: ¥10.06763
-
数量:
- +
- 总计: ¥10.07
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 最大功耗 60W (Tc)
- 制造厂商 东芝 (Toshiba)
- 供应商设备包装 DPAK
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 240A
- 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14.5 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 560毫欧姆 @ 3.5A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 380 pF @ 300 V
TK560P60Y,RQ 产品详情
东芝DTMOS V超级结MOSFET是用于高效功率MOSFET的下一代N沟道深沟槽半导体技术。与DTMOS IV MOSFET相比，DTMOS V的EMI噪声更低，导通电阻RDS（ON）降低17%。DTMOS V具有深沟槽蚀刻工艺，与更传统的平面工艺相比，该工艺导致单元间距变窄，RDS（ON）降低。DTMOS V超级结MOSFET是提高性能和促进功率转换应用设计的理想选择。应用包括开关电源、功率因数校正（PFC）设计和LED照明。
TK560P60Y,RQ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TK55 | 3M (3M) | 3M PELTOR REMOTE RING FI | ¥771.00671 |
| TK56 | 3M (3M) | 3M PELTOR REMOTE RING FI | ¥771.00671 |
| TK5P60W,RVQ(S | 东芝 (Toshiba) | 暂无 | ¥1.87301 |
| TK5A80E,S4X(S | 东芝 (Toshiba) | ¥3.40561 | |
| TK5A90E,S4X(S | 东芝 (Toshiba) | ¥4.56737 | |
| TK58E06N1,S1X(S | 东芝 (Toshiba) | ¥3.37954 | |
| TK5A60W,S4VX(M | 东芝 (Toshiba) | ¥6.45922 | |
| TK5P60W5,RVQ | 东芝 (Toshiba) | ¥9.25353 | |
| TK5P-3.5 | 5 PIN 3.5MM PITCH CONNECTOR | ¥0.00 | |
| TK5P-7.5 | 5PIN 7.5 MM QUICK SPKR CONNECTOR | ¥0.00 |
TK560P60Y,RQ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，TK560P60Y,RQ 由 东芝 (Toshiba) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TK560P60Y,RQ价格参考￥10.067631，你可以下载 TK560P60Y,RQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TK560P60Y,RQ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
东芝 (Toshiba)
东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案，使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。
