符合RoHS要求,不含铅或溴
薄型(<0.7 mm)
双面冷却兼容
超低封装电感
针对高频开关进行了优化
理想的高性能隔离转换器主开关插座
针对同步整流进行了优化
低传导损耗
与现有表面安装技术兼容
IRF6668TRPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMZ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 4.01908 | 4.01908 |
- 库存: 1773
- 单价: ¥4.01909
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.02
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规格参数
- 宽(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 55A (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 31 nC @ 10 V
- 最大功耗 2.8W(Ta)、89W(Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.9V @ 100A
- 导通电阻 Rds(ON) 15毫欧姆@12A,10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1320 pF@25 V
- 供应商设备包装 DIRECTFETMZ
- 包装/外壳 DirectFET等距MZ
IRF6668TRPBF 产品详情
IRF6668TRPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF6668TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF6668TRPBF价格参考¥4.019085,你可以下载 IRF6668TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF6668TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。