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IRF6668TRPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMZ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.01908 4.01908
  • 库存: 1773
  • 单价: ¥4.01909
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.02
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 55A (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 31 nC @ 10 V
  • 最大功耗 2.8W(Ta)、89W(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.9V @ 100A
  • 导通电阻 Rds(ON) 15毫欧姆@12A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1320 pF@25 V
  • 供应商设备包装 DIRECTFETMZ
  • 包装/外壳 DirectFET等距MZ

IRF6668TRPBF 产品详情

符合RoHS要求,不含铅或溴
薄型(<0.7 mm)
双面冷却兼容
超低封装电感
针对高频开关进行了优化
理想的高性能隔离转换器主开关插座
针对同步整流进行了优化
低传导损耗
与现有表面安装技术兼容

IRF6668TRPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF6668TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF6668TRPBF价格参考¥4.019085,你可以下载 IRF6668TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF6668TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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