起订量: 962
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 962+ | 2.24529 | 2159.97763 |
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TMOS E-FET功率场效应晶体管
N沟道增强型硅栅
这种高压MOSFET采用了先进的终端方案，以提供增强的电压阻断能力，而不会随着时间的推移而降低性能。此外，这种先进的TMOS E–FET设计用于在雪崩和换向模式下承受高能量。新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计，特别适用于二极管速度和换向安全操作区域至关重要的桥式电路，并为防止意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
•坚固的高压终端
•指定雪崩能量
•源极至漏极二极管恢复时间与离散快速恢复二极管相当
•二极管用于桥式电路
•高温下规定的IDSS和VDS（开）
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MTPD1346D-200 | 马克泰克 (Marktech) | 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 响应时长: 76ns 包装/外壳: TO-39-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥709.8042 |
 | MTPD1346D-300 | 马克泰克 (Marktech) | 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 响应时长: 102纳秒 包装/外壳: TO-39-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥826.84946 |
 | MTPD1346D-080 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 包装/外壳: TO-46-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥189.03969 |
 | MTPD3650D-1.4 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 365纳米 光谱范围: 245nm ~ 400nm 可视角度: 50° 工作温度: -40摄氏度~70摄氏度 | ¥638.82378 |
 | MTPD1346-010 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 可视角度: 45° 包装/外壳: TO-46-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥2,054.11175 |
 | MTPD1346-030 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 可视角度: 45° 包装/外壳: TO-46-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥605.28152 |
 | MTPD1346-100 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 可视角度: 45° 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥696.42517 |
 | MTPD1346D-100 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 包装/外壳: TO-46-3透镜顶部金属罐 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥69.79324 |
 | MTPD1346-150 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 1300nm 光谱范围: 800nm ~ 1750nm 可视角度: 45° 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥122.06419 |
 | MTPD1500D-2.5 | 马克泰克 (Marktech) | 工作波长: 440nm 光谱范围: 150nm ~ 550nm 可视角度: 120° 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥48.24496 |
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