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FDU6N25是MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3，包括卡套管封装，设计用于0.019013 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供IPAK-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供50W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为34 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为4.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.1欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为6nC，正向跨导最小值为5.5S。
FDU6N50TU是MOSFET N-CH 500V 6A IPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.012102盎司，具有典型的开启延迟时间功能，如6 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为55 ns，器件的漏极电阻为900 mOhms，Pd功耗为89 W，封装为管，封装外壳为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为35 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDU6796A，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDU6796A以TO-251封装提供，是IC芯片的一部分。
FDU6N50是FSC制造的MOSFET N-CH 500V 6A IPAK。FDU6N50有TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 500V 6A IPak。
