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FDA59N30

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 59A (Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 30.49260 30.49260
10+ 27.35643 273.56433
100+ 22.41387 2241.38780
500+ 19.08055 9540.27550
1000+ 18.28629 18286.29400
  • 库存: 1537
  • 单价: ¥30.49261
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥30.49
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 漏源电压标 (Vdss) 300伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
  • 供应商设备包装 TO-3PN
  • 包装/外壳 至3P-3,SC-65-3
  • 最大功耗 500W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 59A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 56毫欧姆 @ 29.5A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 100 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4670 pF @ 25 V
  • 色彩/颜色 -

FDA59N30 产品详情

UniFETTM MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET家族。该MOSFET被定制以降低导通电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该设备系列适用于开关功率转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视功率、ATX和电子镇流器。

特色

  • RDS(开启)=56mΩ (最大值)@VGS=10V,ID=29.5A
  • 低栅极电荷(典型值77nC)
  • 低铬(典型值80pF)
  • 100%雪崩测试

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDA59N30所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDA59N30 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDA59N30价格参考¥30.492609,你可以下载 FDA59N30中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDA59N30规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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