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IPD60R950C6ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.44378 11.44378
10+ 10.19800 101.98003
100+ 7.95198 795.19800
500+ 6.56916 3284.58250
1000+ 5.76245 5762.45100
2500+ 5.76245 14406.12750
  • 库存: 2500
  • 单价: ¥11.44378
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.44
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC@10 V
  • 供应商设备包装 PG-TO252-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.4A (Tc)
  • 最大功耗 37W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 950毫欧姆@1.5A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@130A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 280 pF@100 V

IPD60R950C6ATMA1 产品详情

正向电阻™ C6将英飞凌作为领先的超级结MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。C6器件提供了快速开关超结MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、更轻和更冷。

  • 600V CoolMOS™ C6替代600V CoolMOS™ 第3页
  • 650V CoolMOS™ C6是650V CoolMOS的替代品™ 第3页

特色

  • 易于控制切换行为
  • 由于非常低的品质因数(R DS(on)*Q g和E oss),损失非常低
  • 极高的换向强度
  • 易于使用
  • 与C3相比,轻载效率更好
  • 经过验证的CoolMOS具有卓越的可靠性™ 质量与高体二极管耐用性相结合
  • 与以前的CoolMOS相比,具有更好的性价比™ 世代
  • 更高效、更紧凑、更轻、更凉爽
  • 提高了功率密度
  • 提高可靠性
  • 通用部件可用于软交换拓扑和硬交换拓扑
  • 更好的轻载效率
  • 提高硬交换应用的效率
  • 改进了易用性
  • 减少pcb布局和封装寄生效应导致的可能振铃

应用

  • 消费者
  • 适配器
  • 电子移动性
  • 服务器和电信PFC阶段
  • 表面粗糙度
  • PC电源
  • 太阳的
  • 照明
IPD60R950C6ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPD60R950C6ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPD60R950C6ATMA1价格参考¥11.443782,你可以下载 IPD60R950C6ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPD60R950C6ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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