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PSMN020-30MLCX具有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为采用SMD/SMT安装方式操作，数据表说明中显示了用于LFPAK33-4的封装盒，该LFPAK33提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单配置，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型。此外，Pd功耗为33 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.1 ns，上升时间为7.2 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为31.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.62V，Rds漏极-源极电阻为20.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10.1ns，典型接通延迟时间为6.1ns，Qg栅极电荷为9.5nC，沟道模式为增强。
PSMN022-30BL，带有NXP/PH制造的用户指南。PSMN022-30BL在D2PAK封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN022-30PL是NXP/PH制造的MOSFET N-CH 30V TO220AB。PSMN022-30PL在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V TO220AB。
