9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSB053N03LPG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSB053N03LPG参考价格为0.40000美元。Infineon Technologies BSB053N03LPG封装/规格：N通道功率MOSFET。您可以下载BSB053N03LPG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSB028N06NN3 G是MOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSB028NO6NN3GXT BSB028NO 6NN3GXUMA1 SP000605956的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及WDSON-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为78 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为6 ns，上升时间为9 ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为90A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为108nC。
BSB044N08NN3 G是MOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3，包括80 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供OptiMOS等商品名功能，技术设计用于Si，以及OptiMOS 3系列，该器件也可以用作4.4毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，零件别名为BSB044N08NN3GXT BSB044NO8NN3GXUMA1 SP000604542，该设备采用卷筒包装，该设备具有WDSON-2封装盒，通道数为1通道，Id连续漏电流为90 a。
带有电路图的BSB044N08NN3GXUMA1，包括1个信道数，它们设计为与WDSON-2封装盒一起工作。数据表说明中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供部件别名功能，如BSB044NO8NN3 BSB044NO 8NN3GXT G SP000604542，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道。
