9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN8R5-60YS，115，在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN8R5-60YS，115价格参考1.64000美元。Nexperia USA Inc.PSMN8R5-60YS，115封装/规格：MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK56。您可以下载PSMN8R5-60YS，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如PSMN8R5-60YS，115价格，库存数量，数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
PSMN8R5-108ES带有引脚细节，包括卷筒包装，其设计为单位重量为0.084199盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供I2PAK-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供263 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为43 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为4.4 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为108V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为87ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为111nC，沟道模式为增强。
PSMN8R5-100XS是NXP制造的MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F。PSMN8R5-100XS提供TO-220-3全封装、隔离接线片封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F。
PSMN8R5-60YS，带有NXP制造的电路图。PSMN8R5-60YS采用SOT-669封装，是FET的一部分-单个。
