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IPD65R380E6是MOSFET N-Ch 700V 10.6A DPAK-2 CoolMOS E6，包括CoolMOS E5系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD65R180E6BTMA1 IPD65R280E6XT SP000795278，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为10.6A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Rds漏极源极导通电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为57nS，Qg栅极电荷为39nC。
IPD65R380C6是MOSFET N-Ch 700V 10.6A DPAK-2 CoolMOS C6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在700 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及CoolMOS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CoolMOS C6，该器件提供340 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有83 W的Pd功耗，部件别名为IPD65R380C6BTMA1 IPD65R180C6XT SP000745022，包装为卷轴式，包装箱为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为10.6 A。
IPD65R380C6ATMA1带有电路图，包括TO-252-3包装盒，它们设计用于卷筒包装，数据表注释中显示了IPD65R480C6SP001117734中使用的零件别名，该产品提供Si等技术特性，商品名设计用于CoolMOS。
