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STF40NF06

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.66106 11.66106
10+ 10.43701 104.37019
100+ 8.13957 813.95710
500+ 6.72416 3362.08200
1000+ 5.63026 5630.26800
  • 库存: 2998
  • 单价: ¥9.34334
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.66
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 最大功耗 30W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-220FP
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 23A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 32 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 920 pF@25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 28毫欧姆@11.5A,10V
  • 色彩/颜色 -

STF40NF06 产品详情

该MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。

特色

  • 异常v/dt能力
  • 面向应用的特性
  • 100C时的低门电荷
  • 100%雪崩测试
STF40NF06所属分类:分立场效应晶体管 (FET),STF40NF06 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。STF40NF06价格参考¥9.343341,你可以下载 STF40NF06中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询STF40NF06规格参数、现货库存、封装信息等信息!

意法半导体 (STMicroelectronics)

意法半导体 (STMicroelectronics)

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