该MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
特色
- 异常v/dt能力
- 面向应用的特性
- 100C时的低门电荷
- 100%雪崩测试
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 11.66106 | 11.66106 |
10+ | 10.43701 | 104.37019 |
100+ | 8.13957 | 813.95710 |
500+ | 6.72416 | 3362.08200 |
1000+ | 5.63026 | 5630.26800 |
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该MOSFET是STMicroelectronics独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新发展。所得晶体管显示出极高的封装密度,具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和不太关键的对准步骤,因此具有显著的制造再现性。
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