Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
特色
- 用于宽SOA的平面单元结构
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 硅优化用于低于100kHz的应用切换
- 行业标准通孔电源组件
- 高载流能力封装（高达195 A，取决于管芯尺寸）
- 针对高功率密度
IRFP3703PBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 210A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 230W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 10.95995 | 10.95995 |
- 库存: 37
- 单价: ¥10.95996
-
数量:
- +
- 总计: ¥10.96
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规格参数
- 高度（英寸） -
- 长（英寸） -
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 供应商设备包装 TO-247AC
- 包装/外壳 至247-3
- 最大功耗 3.8W (Ta), 230W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 210A（Tc）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 7V, 10V
- 导通电阻 Rds(ON) 2.8毫欧姆@76A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 209 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8250 pF @ 25 V
- 色彩/颜色 -
IRFP3703PBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 30V，英飞凌
IRFP3703PBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
| IRFU7746PBF | TRENCH 40<-<100V | ¥3.59458 | |
| IRF60B217 | TRENCH 40<-<100V | ¥4.0955 | |
| IRFI3306GPBF | IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL | ¥12.35349 | |
| IRFZ46ZSPBF | IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE | ¥4.76061 | |
 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFP3703PBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFP3703PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFP3703PBF价格参考￥10.959956，你可以下载 IRFP3703PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFP3703PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
