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TK380P65Y,RQ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.7A (Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 18.47374 18.47374
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  • 总计: ¥18.47
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 供应商设备包装 DPAK
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20 nC@10 V
  • 最大功耗 80W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.7A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 380毫欧姆 @ 4.9A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 360A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 590 pF @ 300 V

TK380P65Y,RQ 产品详情

TK380P65Y,RQ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TK380P65Y,RQ 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TK380P65Y,RQ价格参考¥18.473741,你可以下载 TK380P65Y,RQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TK380P65Y,RQ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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