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G2R1000MT17D

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 53W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 41.79153 41.79153
10+ 37.35163 373.51635
25+ 35.71618 892.90470
100+ 33.37383 3337.38350
250+ 31.91540 7978.85100
500+ 31.49575 15747.87550
  • 库存: 6867
  • 单价: ¥37.30094
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥41.79
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 包装/外壳 至247-3
  • 制造厂商 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1700伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 20伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.2欧姆@2A,20V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 2毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 139 pF@1000 V
  • 供应商设备包装 TO-247-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Tc)
  • 最大功耗 53W (Tc)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-5伏

G2R1000MT17D 产品详情

G2R1000MT17D所属分类:分立场效应晶体管 (FET),G2R1000MT17D 由 基因半导体公司 (GeneSiC) 设计生产,可通过久芯网进行购买。G2R1000MT17D价格参考¥37.300935,你可以下载 G2R1000MT17D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询G2R1000MT17D规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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