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BSP135H6906XTSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120毫安(Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: PG-SOT223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 19.41097 19.41097
10+ 17.41917 174.19175
100+ 13.99907 1399.90770
500+ 11.50187 5750.93500
1000+ 10.95416 10954.16200
  • 库存: 31576
  • 单价: ¥16.87596
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥19.41
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规格参数

  • 高度(英寸) -
  • 长(英寸) -
  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 耗尽型
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 0伏、10伏
  • 最大功耗 1.8W(Ta)
  • 包装/外壳 至261-4,至261AA
  • 供应商设备包装 PG-SOT223-4
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 146 pF @ 25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120毫安(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 45欧姆 @ 120毫安, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@94A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.9 nC @ 5 V
  • 色彩/颜色 -

BSP135H6906XTSA1 产品详情

英飞凌是全球少数提供耗尽型MOSFET的半导体制造商之一。

应用领域包括电源启动电源、过电压保护、浪涌电流限制器、离线电压参考。通过一个单独的部件,可以实现简单的电流调节器。所有产品均适用于汽车应用。为了满足特殊要求,耗尽型MOSFET可与VGS(第)卷轴上的指示器。

特色

  • 耗尽模式
  • dv/dt额定值
  • 捡拾盘上有V GS(第)指示灯
  • 无卤素;无铅铅镀层;符合RoHS
  • 符合AEC Q101要求

应用

  • 汽车
  • 消费者
  • 直流-直流
  • 电子移动性
  • 车载充电器
  • 电信
BSP135H6906XTSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSP135H6906XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSP135H6906XTSA1价格参考¥16.875957,你可以下载 BSP135H6906XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSP135H6906XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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